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AO4447A
30V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
? The AO4447A uses advanced trench technology to
provide excellent R DS(ON) with low gate charge.This
device is ideal for load switch and battery protection
applications.
V DS
I D (at V GS = -10V)
R DS(ON) (at V GS = -10V)
R DS(ON) (at V GS = -4.5V)
R DS(ON) (at V GS = -4V)
-30V
-17A
< 7m
< 8m
< 9m
? RoHS and Halogen-Free Compliant
ESD Protected
100% UIS Tested
100% Rg Tested
SOIC-8
Top View
D
D
Bottom View
D
D
D
G
G
Rg
S
S
S
S
Absolute Maximum Ratings T J =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
T A =25°C
Symbol
V DS
V GS
Maximum
-30
±20
-17
Units
V
V
Current
Pulsed Drain Current
Power Dissipation B
T A =70°C
C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
P D
-13
-160
3.1
2.0
A
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient AD
Maximum Junction-to-Lead
t ≤ 10s
Steady State
Steady State
R θ JA
R θ JL
31
59
16
40
75
24
°C/W
°C/W
°C/W
Rev.2.0: June 2013
www.aosmd.com
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